檢索結果：共41筆資料 檢索策略： "蔡孟霖".ccommittee (精準)
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎，應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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氮化鎵於矽基板上成長時，因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力，造成高密度差排缺陷，降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層，提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料，垂直膜…
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本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分，為GaSe奈米帶的製備，首先，以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內，於抽氣真空的狀態…
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本論文研究內容分為三大部分：SnS2奈米片的成長與結構分析及退火前後電性變化及退火參數的討論。第二部分為不同組份的GaSb奈米線之製備與結構分析、探討退火對於異質結構的擴散情形及黃光製程上對應的量測…