檢索結果：共64筆資料 檢索策略： "周賢鎧".cadvisor (精準)
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本研究利用葡萄糖及尿素作為前驅物，透過水熱法合成石墨烯量子點(GQDs)與摻氮石墨烯量子點(N-GQDs)，經由透析後GQDs與N-GQDs HRTEM圖之平面間距驗證此為石墨烯量子點，其平面間距分…
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本研究分為兩個部分，第一部分是透過磁控式濺鍍系統濺鍍一層銅膜在銅箔上以及含有氧化層之矽基板上，搭配快速升溫化學氣相沉積法製備雙層石墨烯(Bilayer graphene, BLG)，分…
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
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Diabetic patients were concerned in most developed countries and stimulate the advancement of gluco…
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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本研究使用磁控式濺鍍，利用矽油（silicone oil）作為液態基材，分別濺鍍氧化鋅和氮化鈦，於矽油中形成氧化物和氮化物的奈米顆粒，並分析材料之特性，實驗可分為三部分，第一為不添加矽油直接濺鍍氧化…
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本研究利用反應式濺鍍沉積摻鈷類鑽碳(Co-DLC) 薄膜，並將Co-DLC薄膜在350℃進行大氣退火30-90分鐘，得到Co、CoO、Co3O4和DLC組成之CoOx-DLC薄膜，藉由SEM、RAM…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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本論文使用磁控式濺鍍法控制鉑金屬薄膜，利用濺鍍條件控制鉑電極的方向性做為氮化鋁薄膜成長的底電極基材。實驗的第一個部分是以矽基材與玻璃基材使用不同比例的氬氣與氮氣反應式濺鍍出氮化鋁薄膜。探討氮氣比例對…