檢索結果：共22筆資料 檢索策略： "王秋燕".cadvisor (精準)
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本論文研究的半導體奈米材料有三種，分別為SnO2/SnS2異質結構奈米片、SnxSe(1-x)奈米線以及SnSe2/SnSe異質結構奈米片。 第一部份，SnO2/SnS2異質結構奈米片以CVD製程成…
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近幾年來，由於二維奈米結構與相對應的塊材比較時，研究顯示出獨特的物理及化學性質而迅速發展。在這項工作中，首次採用化學氣相沉積法在二氧化矽/矽基板上成長了約12微米的六邊形硒化鎳奈米片，量測硒化鎳奈米…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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本研究主要分別以2:3與1:1兩部份的銦硒系統探討。第一部份，以高均勻性金奈米粒子催化的In2Se3奈米線透過氣-液-固（VLS）機制的快速熱退火（RTA）處理成長。利用金奈米顆粒催化成長In2Se…
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許多合成奈米材料的溶液系統中，定向附著成長機制已經被發現，然而，這樣的生長機制尚未在氣相沉積二維奈米材料系統中被探討。此研究中，利用硫與錫粉末成長二硫化錫奈米薄片，自不同的生長階段焠火以探討其生長機…
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本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分，為GaSe奈米帶的製備，首先，以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內，於抽氣真空的狀態…
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本論文研究內容分為三大部分：SnS2奈米片的成長與結構分析及退火前後電性變化及退火參數的討論。第二部分為不同組份的GaSb奈米線之製備與結構分析、探討退火對於異質結構的擴散情形及黃光製程上對應的量測…