檢索結果：共49筆資料 檢索策略： "SiC".ekeyword (精準)
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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因為行動通訊系統在現今社會已經越來越被廣泛使用，使用無線通訊系統的人口也日益增加，要如何使有限的無線頻譜得以最有效的被利用，是相當重要的課題。Multi-Input Multi-Output(MIM…
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本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型，即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式，對熱壁式水…
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本論文主要在研製輸出功率6 kW、輸入交流電壓220 V、輸出直流電壓800 V之三相功率因數修正器，可應用於微電網系統與電動車充電站等。架構使用Vienna整流器以達成元件數少、架構簡單以及開關耐…
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SiC MOSFET於導通及截止間切換時引起振盪的原因之一，在於閘極所存在的寄生元件，為了減去閘極路徑的寄生元件所造成的影響，提出一個可編程並具有回授功能的閘極驅動器。藉由驅動器的回授端點與SiC …