檢索結果：共73筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準)
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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本論文的研究內容可以分成三個階段來探討，第一階段是利用SLS機制直接於矽基材上成長矽奈米線，實驗採用金顆粒作為催化劑，並使用石英管爐通入氫氬混合氣後加熱至850 ℃以上來成長矽奈米線，並改變溫度與持…
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近年來，碳化矽(SiC)被廣泛研究使用，而隨著功率元件的蓬勃發展，將碳化矽用來作為功率元件的材料之研究也越來越多，因此本論文即是在探討用碳化矽來當作材料之功率電晶體之研究。 此研究目的就是致力於製作…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源，利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
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由於石油將於本世紀內用磬，尋找新的替代能源已是當務之急。太陽能乾淨且幾乎無限，所以許多科學家都在努力研發高效率低成本太陽電池。目前太陽電池多為單晶矽或多晶矽之p-n接面，這種傳統結構之轉換較率已逼近…
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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本文將不同比例之稀土元素氧化釔(Y2O3)添加至主要陶瓷粉末碳化矽(SiC)及金屬粉末(Ni)當中混合均勻，進行氬銲被覆(Gas tungsten arc welding；GTAW)於Ti-6Al-…
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本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…