檢索結果：共25筆資料 檢索策略： "濺鍍法".ckeyword (精準)
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此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜，採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ，同時通入氬氣及氧氣，氬氣為濺鍍氣體，氧氣為反應氣體…
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近年來，有越來越多人開始投入太陽能電池的研究，因此技術進步的很快，目前研究雖然都有不錯的轉換效率，但由於成本高昂，故一直無法普及，因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的，然而在各種新材料被研究…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本實驗利用射頻磁控濺鍍法於低溫下成長具半導體特性之非晶質奈米碳棒，其形貌不同於一般使用濺鍍法成長之薄膜。本實驗從兩方面來對成長奈米碳棒做探討，首先，我們於不同溫度下成長奈米碳棒，並觀察其表面形貌及結…
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本論文研究的內容主要分成三個部分。第一部份是在矽基材上製備所需的金奈米顆粒分佈，本實驗是先利用鍍金機在基材上鍍上一層金的薄膜後，再藉由控制退火的溫度、時間和金薄膜的厚度，來完成金奈米顆粒的製備。 …
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本研究開發氧化矽閘極絕緣膜及多晶矽膜之低溫濺鍍沉積技術，以利塑膠基板上薄膜電晶體之製作。此外，我們利用準分子雷射退火技術實現鍺膜之超級橫向成長，並觀察此長晶現象。本研究在室溫下藉由脈衝直流磁控反應性…
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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜，藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜， 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …