檢索結果：共21筆資料 檢索策略： "鐵電".ckeyword (精準)
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本論文主要是將鐵電性奈米顆粒掺混鐵電/反鐵電性液晶，並量測掺混後的光電物性改變，本實驗所選用的液晶材料為光學活性層列型液晶(MHPOBC)，所掺混的鐵電性奈米顆粒為鈣鈦礦結構之BaTiO3，粒徑大小…
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本研究利用改良式溶膠-凝膠法製備鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電厚膜，使用二氧化碳雷射退火製程將厚膜非晶相結構轉換成具鐵電特性之鈣鈦礦結構，並與爐管退火作為比較。實驗中利用溶膠-凝膠法製備出500℃ ~ 75…
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本論文主要為改變彎曲液晶的連接基用以測量物性以及光電性質，這些化合物分別為: (1) 1,3-phenylenebis[4-(4-tetradecanoyl oxybenzoyloxybenzoat…
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由於鐵電薄膜多為氧化物，且製程溫度都是在高溫，因此大多搭配使用抗高溫氧化之電極材料作為電極。貴金屬Pt是常使用之材料，然而Pt電極的價格偏高，若能使用較便宜的金屬電極來代替，又能維持導電性，進一步又…
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近年可撓式以及透明之感測元件應用越來越廣，因此，本研究以透明導電薄膜AZO，搭配PVDF鐵電高分子披覆之PET可撓式基板，製作可撓式透明感測元件，並研究其鐵電、壓電、介電及可見光穿透性。 本…
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本論文主要為摻混兩個彎曲型液晶分子並量測摻混後物性以及光電性質，化合物分別為：中心苯環4位置為氫取代具有B2相的1,3-Bis[4-(4-decyloxy- benzoyloxy)benzoylox…
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本論文利用化學氣相傳導法，成長出過渡金屬硫屬化合物半導體材料 CuInP2Se6，並研究其結構、光學與電學特性。藉由能量色散X射線光譜、X 射線光電子能譜儀確認成長之材料成分與預期相符。高解像能電子…
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具有巨大應變的BNT-based 固溶材料近期內已被大家廣泛研究。然而，形成巨大應變量的成因至今仍有分歧，Zhang 等人認為應變的貢獻主要來自於鐵電與反鐵電相之間的轉變；Teranishi 等人利…
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本研究主要目的是要解決Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基陶瓷材料系統的製備方式，以達到完全鈣鈦礦結構的目的，並且瞭解不同製程對於試片特性的影響為何。試片燒結方式採用傳統燒結與微波燒結，除試圖利用微波…
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本研究利用CO2低溫雷射退火製程，將鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電薄膜與錳酸鍶鑭(LSMO)氧化物電極鍍製於316型不鏽鋼線與薄板基板上，以改善傳統爐內退火常導致線狀或薄板型鐵電元件產生界面擴散與氧化等問題…