以台積公司專利分析電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究

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研究生：	陳俐安 Li-An Chen
論文名稱：	以台積公司專利分析電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究 Technology-function Analysis and Trend Study in Resistive Random Access Memory Based on TSMC's Patents
指導教授：	劉國讚 Kuo-Tsan Liu
口試委員:	陳昭華 Jau-Hwa Chen 廖承威 Cheng-Wei Liao
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	應用科技學院 - 專利研究所 Graduate Institute of Patent
論文出版年：	2021
畢業學年度：	109
語文別：	中文
論文頁數：	109
中文關鍵詞：	專利分析與布局、發展趨勢、技術功效矩陣、電阻式隨機存取記憶體、電阻式記憶體、台積
外文關鍵詞：	patent analysis and portfolio, development trends, technology-function matrix, RRAM, ReRAM, TSMC
相關次數：	點閱：502 下載：5
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本研究的主要目的在於透過分析台積公司（台灣積體電路製造股份有限公司）的電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術之美國專利文件，以進行台積公司的電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究。

首先，本研究分析RRAM技術美國專利概況，即檢索美國專利商標局之公開資料庫與公告資料庫的RRAM技術專利，並分析RRAM技術的美國專利申請趨勢、美國專利核准趨勢、前五大專利申請人、前五大專利申請人的申請與核准趨勢。接著，本研究從主要專利申請人中選定「台積公司」作為分析目標，找出台積公司的RRAM技術美國專利的專利文件，並透過逐篇人工閱讀上述專利文件，以解析台積公司針對RRAM技術在美國專利商標局所申請的專利的八個技術類別以及十二個功效類別。再者，本研究根據上述各個技術與功效類別，製作台積公司之RRAM技術的美國專利技術功效矩陣、基於合作專利分類（CPC）之技術功效矩陣、功效發展趨勢圖，並進行相關分析。最後，本研究統整上述研究結果，並提出針對台積公司的RRAM技術之研發建議以及未來研究方向。

本研究獲得以下結論：

RRAM技術的研發相當熱絡，且將逐漸被重視。
RRAM技術美國專利的主要專利權人集中在具有一定規模的公司。
僅使用CPC四階分類碼來進行技術解析之效果不夠顯著，參考價值有限。
台積公司現階段重視RRAM結構技術的專利佈局高於方法技術的專利佈局。
台積公司針對RRAM技術所研發的功效逐步全面化，且其功效熱點至少包含：縮小尺寸、改善資料保留力、改善可靠性、預防裝置故障、改善效能、預防裝置損壞、改善製程。
台積公司的主要競爭公司至少包含三星電子（Samsung Electronics）、國際商業機器公司（IBM）、SK海力士半導體公司（SK Hynix Semiconductor），其中IBM往後對台積公司可能更具競爭性。

The main purpose of this study is to analyze the US patent documents of Resistive Random Access Memory (RRAM) of TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.) for TSMC’s technology-function analysis and trend study in RRAM technical field.

First, this study analyzes all US patents of RRAM technology, i.e., searches the RRAM technology patents from the USPTO Patent Application Full-Text and Image Database (AppFT) and USPTO Patent Full-Text and Image Database (PatFT), and analyzes the trend in US patent applications, trend in US patent grants, and the top five patent applicants, and the trend in US patent applications and grants of the top five patent applicants of RRAM technology. Next, this study selects “TSMC” from the main patent applicants as the analysis objective, manually reads each US patent document of TSMC to determine the eight technical categories and the twelve functional categories of the RRAM technical field according to the US patent documents. In addition, based on each technical category and functional category, this study also produces a technology-function matrix of TSMC’s US patents in RRAM technical field, a technology-function matrix based on Cooperative Patent Classification (CPC), and a trend in function development. Finally, this study summarizes the above research results and proposes advices for researching and developing RRAM technology for TSMC, as well as future research directions.

The following are the conclusions obtained in this research:

The research and development of RRAM technology is currently popular and will gradually be valued.
The main US patent applicants of RRAM technology are likely to be companies with large scale.
The result and the reference value for technical analysis by merely using the fourth-level of CPC is not ideal.
TSMC currently invests more in patnet portfolio for RRAM structure than for RRAM method.
The functions developed by TSMC for RRAM technology are gradually being comprehensive, and the important fuctions at least includes: reducing device size, improving data retention, improving reliability, preventing device failure, improving performance, preventing device damage, and improving manufacture.
The main competitors of TSMC at least include: Samsung Electronics, International Business Machines Corporation (IBM), and SK Hynix Semiconductor, wherein IBM is likely to become more competitive in the future.

摘要        i
ABSTRACT    ii
誌謝        iii
目錄        iv
圖目錄        vii
表目錄        ix
第1章    緒論    1
1    前言    1
2    記憶體技術演進    1
2.1    既有記憶體技術概述    1
2.2    新興非揮發性記憶體技術的崛起    2
3    電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術簡介    3
3.1    RRAM基本定義與原理    3
3.2    RRAM種類    5
3.3    RRAM電阻切換機制種類    6
3.4    RRAM裝置的應用    6
4    相關文獻    7
4.1    RRAM技術相關文獻    7
4.2    RRAM技術專利分析相關文獻    9
4.3    其他技術專利分析相關文獻    11
5    研究方法與流程    13
第2章    RRAM技術美國專利概況分析    15
1    前言    15
2    檢索策略    15
2.1    檢索資料庫    15
2.2    檢索工具    15
2.3    檢索關鍵詞    15
2.4    檢索式    17
2.5    專利池之確定    17
3    分析結果    17
3.1    RRAM技術美國專利申請趨勢    18
3.2    RRAM技術美國專利核准趨勢    19
3.3    RRAM技術美國專利之公開及公告趨勢    20
3.4    RRAM技術美國前五大專利申請人    21
3.5    RRAM技術美國前五大專利申請人之公開案件數    22
3.6    RRAM技術美國前五大專利申請人之公告案件數    24
第3章    台積公司RRAM技術美國專利之技術與功效解析    27
1    前言    27
1.1    台積公司的選定    27
2    檢索策略    27
2.1    檢索資料庫    27
2.2    檢索工具    27
2.3    檢索關鍵詞    28
2.4    檢索式    28
2.5    專利池之確定    28
3    台積公司RRAM技術美國專利之技術解析    28
3.1    技術類別T11：單一RRAM單元內部結構    30
3.2    技術類別T12：單一RRAM單元周邊結構    50
3.3    技術類別T13：RRAM裝置結構    57
3.4    技術類別T21：RRAM製程方法    62
3.5    技術類別T22：RRAM導電絲形成方法    66
3.6    技術類別T23：RRAM讀取／寫入訊號產生方法    72
3.7    技術類別T24：RRAM的其他操作方法    78
3.8    技術類別T31：RRAM相關應用    83
4    台積公司RRAM技術美國專利之功效解析    86
4.1    功效類別F11：縮小尺寸    87
4.2    功效類別F12：改善耐久性    87
4.3    功效類別F13：改善資料保留力    88
4.4    功效類別F14：改善可靠性    88
4.5    功效類別F21：預防裝置故障    88
4.6    功效類別F22：改善效能    88
4.7    功效類別F23：減少能量需求    88
4.8    功效類別F24：預防裝置損壞    88
4.9    功效類別F25：改善導電絲形成    89
4.10    功效類別F31：改善良率    89
4.11    功效類別F32：改善製程    89
4.12    功效類別F41：其他功效    89
第4章    台積公司RRAM技術美國專利技術與功效分析    91
1    前言    91
2    台積公司RRAM技術美國專利技術功效矩陣    91
3    台積公司RRAM技術美國專利基於CPC之技術功效矩陣    92
4    台積公司RRAM技術美國專利功效發展趨勢    96
第5章    研究結果與未來展望    99
1    前言    99
2    RRAM技術美國專利概況分析結果    99
2.1    RRAM技術發展情況    99
2.2    RRAM技術美國專利之前五大專利權人    99
3    台積公司RRAM技術美國專利技術功效解析結果    100
3.1    台積公司RRAM技術美國專利技術解析    100
3.2    台積公司RRAM技術美國專利功效解析    100
4    台積公司RRAM技術美國專利技術功效分析結果    101
4.1    台積公司RRAM技術美國專利技術功效分析結果    101
4.2    台積公司RRAM技術美國專利基於CPC之技術功效分析結果    101
4.3    台積公司RRAM技術美國專利功效發展趨勢分析結果    101
5    台積公司RRAM技術之研發與專利布局建議    101
5.1    基於台積公司的主要競爭公司分析結果之建議    102
5.2    基於台積公司的專利技術功效分析結果之建議    103
6    未來研究方向    104
參考文獻        105
附錄一 台積公司RRAM技術的218篇美國專利    107


                                

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