檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "電阻式記憶體".ckeyword (精準)
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜，Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%，經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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近年來由於製程技術的進步，行動裝置與物聯網得以迅速發展，對於非揮發性記憶體的需求也隨之上升，現今電阻式記憶體相較快閃式記憶體，擁有更低的功耗、更快的存取操作與更小的晶片面積，且其特殊的物理結構…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究以具有銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)薄膜的玻璃為基材，反應濺鍍氧化矽中間電阻層，濺鍍摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped zinc oxide，AZO)為上電極，製…
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科技的進步帶動了製程技術的演進，使得行動裝置與高密度的記憶體得以快速發展，因此人們對於非揮發型記憶體的需求也隨之成長，而在眾多的非揮發型記憶體當中，電阻式記憶體具有較快的操作速度、較低的功耗…
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近年來，深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 被廣泛的應用在許多領域之中，例如自動駕駛、影像辨識以及生物醫學電子設備等，皆可達到一定的正確率 (Accuracy)，而使…
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專利分析對於專利布局而言是相當重要的事前調查，原因在於分析特定技術領域的專利趨勢，企業可以審視欲申請專利的新穎性；而說明書撰稿人則可以衡量一發明是否符合進步性要求。對企業體每一項產品的研發都所費不貲…