檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "RRAM".ekeyword (精準)
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本研究以具有銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)薄膜的玻璃為基材，反應濺鍍氧化矽中間電阻層，濺鍍摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped zinc oxide，AZO)為上電極，製…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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科技的進步帶動了製程技術的演進，使得行動裝置與高密度的記憶體得以快速發展，因此人們對於非揮發型記憶體的需求也隨之成長，而在眾多的非揮發型記憶體當中，電阻式記憶體具有較快的操作速度、較低的功耗…
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本研究的主要目的在於透過分析台積公司（台灣積體電路製造股份有限公司）的電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術之美國專利文件，以進行台積公司的電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究。 首先，本研究分…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…
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金屬氧化物電阻式隨機存取記憶體(RRAM)是下一代非揮發性記憶體中最有潛力得候選人之一，其研究和發展引起相當大的關注，由於具有低成本、低耗能、操作速度快、保存資料能力佳等優點外，結構簡單也是一大特色…
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電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用，由於其結構簡單可應用於高密度積體電路，也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)，並且具有低操作功率、開…
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎，應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…