900 MHz 8位元被動式CMOS RFID Tag晶片設計｜國立臺灣科技大學博碩士論文系統

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研究生：	顧寶文 Pau-Wen Ku
論文名稱：	900 MHz 8位元被動式CMOS RFID Tag晶片設計 900 MHz 8-bit passive CMOS RFID Tag Design
指導教授：	姚嘉瑜 Chia-Yu Yao
口試委員:	陳雅淑 Ya-Shu Chen 陳筱青 Hsiao-Chin Chen 楊湰頡 Rong-Jyi Yang
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	電資學院 - 電機工程系 Department of Electrical Engineering
論文出版年：	2009
畢業學年度：	97
語文別：	中文
論文頁數：	91
中文關鍵詞：	被動式RFID Tag 、Charge Pump 、EPC global's PIE symbol 、倍壓器、反散射
外文關鍵詞：	Passive RFID Tag, Charge Pump, Voltage Doubler, Back-scatter, EPC global's PIE symbol
相關次數：	點閱：289 下載：8
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本論文設計一工作於900 MHz 8位元被動式CMOS RFID Tag，利用40級的Charge Pump及無震盪器架構以達到省電進而增長RFID Tag讀取距離之目的本文使用TSMC 0.18um 1P6M製程實現Tag晶片。量測之最小輸入功率為－16.7 dBm、工作電壓為0.7 V ~ 1.6V、Charge Pump功率轉換效率在輸入功率為－21 dBm時可達33%。

This thesis presents a 900MHz 8-bit passive CMOS RFID Tag with 40-stage charge pumps. There is no oscillator in the proposed tag to save power such that the read distance is increased. The tag is fabricated using the TSMC 0.18 μm CMOS process. The measured minimum input power is -16.7dBm, the supply voltage is 0.7V to 1.6V, and the charge pump’s maximum power efficiency is 33% at input power equal to －21 dBm.

誌謝						 I
摘要						 II
Abstract					 III
目錄						 IV
圖表索引					 VI

第一章	序論					 1
	1-1	簡介				 1
	1-2	RFID特色			 2
	1-3	研究動機			 3

第二章	RFID工作原理與設計			 5
	2-1	RFID系統			 5
	2-2	調變				 6
	2-3	EPC Global			 9
	2-4	RF信號的衰減			 11


第三章	電路設計				 15
	3-1	RFID Tag系統			 15
	3-2	Charge Pump和Limiter		 16
	3-3	Demodulator			 21
	3-4	Digital 8-bit circuit和Modulator 26
	3-5	Back-scatter circuit		 30

第四章	模擬與量測結果				 31
	4-1	Tag前模擬			 31
	4-2	Tag後模擬			 41
	4-3	Data rate模擬			 45
	4-4	量測結果			 47
	4-5	Back-scatter circuit模擬	 78
	4-6	Bias電壓模擬			 82
        4-7	晶片佈局			 85
	4-8	規格及文獻比較			 87

第五章	結論					 89
參考文獻					 90

                                

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