檢索結果：共51筆資料 檢索策略： "photoluminescence".ekeyword (精準)
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本研究主要是對微光致螢光量測系統進行光路設計與架設，結合CCD攝影機做影像擷取，讓LED半導體元件的相關研究人員便於進行螢光光譜的分析。實驗系統架構中包含了一片特殊的反射鏡，中央加工一個小孔洞來替代…
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我們利用表面光電壓光譜(SPS)、光激螢光激發光譜(PL)及螢光激發光譜(PLE)三種量測方式來探討由固態源分子束磊晶(SSMBE)所組成的砷化銦/砷化鎵量子點結構中有無覆蓋砷化銦鎵層的光學特性。利…
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本論文是以光激螢光光譜 (PL)，針對由15K至300K的溫度變化範圍中所得之結果來探討烏采結構 (Wurtzite) 的硒化鋅鈹鎘(Cd1-x-yBexZnySe) 四元化合物晶體之光學特性,並以…
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本論文之目的是在多孔矽上堆疊氧化鋅，藉由結合多孔矽與氧化鋅兩種發光材料，以研製出能發白光的機構。 多孔矽以陽極蝕刻法生成，基材為n型矽晶片，當氫氟酸濃度在12%，照度維持2.5 mW/cm2，電流密…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本論文主要以硒化照射程序所影響的缺陷分佈和本質缺陷的相互作用作為探討的議題，針對導入硒化照射程序的特性，開發其照射程序對於缺陷抑制的機制及效果。論文中以螢光光譜解析觀察缺陷抑制的變化，並探討缺陷對於…
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以熱氧化金屬鋅膜法製備氧化鋅奈米線紫外光檢測器，鋅薄膜之溝槽藉由聚焦離子束(focus ion beam, FIB)系統切割，隨後藉由熱氧化法於溝槽間成長氧化鋅奈米線。氧化鋅奈米線的直徑約為70 n…
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由於銻砷化鎵/砷化鎵(GaAs1-xSbx/GaAs)量子井的特殊能帶排列，使其可達到長波長的發光，因此可應用於1.3 μm的光纖傳輸光源上，然而對於銻砷化鎵/砷化鎵量子井結構能帶排列為第一型(ty…
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本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
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本論文利用化學氣相傳導法成功生長出含碘化合物半導體碘化銅 (CuI) 和碘化鉛 (PbI2)，藉由能量色散 X 射線譜 (Energy dispersive X-ray spectroscopy, …