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    1

    沉積二氧化鈦於奈米碳管表面之電化學電容分析
    • 電子工程系 /106/ 碩士
    • 研究生: 張維恩 指導教授:
    •   本實驗以矽基板做為基底在上方成長奈米碳管束陣列,並以奈米碳管束陣列為模板披覆二氧化鈦做為電化學電容器的電極材料。奈米碳管有高導電性、高化學穩定性與高比表面積之特性,利用氣相沉積法成長奈米碳管束陣…
    • 點閱:332下載:3

    2

    氧摻雜二硫化鉬之製備及其同質接面二極體之研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 丁俊馨 指導教授:
    •   本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬,透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析,結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
    • 點閱:364下載:2
    • 全文公開日期 2022/07/18 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    石墨烯與過渡金屬硫屬化物材料的特性和應用之研究
    • 光電工程研究所 /105/ 博士
    • 研究生: 蘇偉誌 指導教授:
    • 本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中,利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯,並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜,以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
    • 點閱:573下載:2
    • 全文公開日期 2022/01/19 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    4

    成長二氧化銥於碳纖維基板上應用於電雙層電容電極之研究
    • 電子工程系 /99/ 碩士
    • 研究生: 蔡鎮鴻 指導教授:
    • 電化學電容器因電子產業發展迅速, 能源需求增加, 愈顯得其重要性. 本實驗以碳纖維為基板, 在碳纖維上成長奈米碳管, 碳纖維上濺鍍二氧化銥及將二氧化銥濺鍍在碳纖維上之奈米碳管做為電化學電容器電極材料…
    • 點閱:495下載:5
    • 全文公開日期 2016/06/14 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    石墨烯之成長並以石墨烯為電極基板應用於場電子發射元件之研究
    • 電子工程系 /99/ 碩士
    • 研究生: 李建璋 指導教授:
    • 在本研究中, 我們以銅箔作為石墨烯之成長基板, 並將銅箔置於可移動式熱化學氣相沉積系統成長石墨烯, 其光穿透率可達85%. 接著, 將最佳化設計之奈米碳管束陣列以熱化學氣相沉積法成長於石墨烯上. 再…
    • 點閱:417下載:8
    • 全文公開日期 2016/06/14 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    利用垂直成長奈米碳管陣列製作表面傳導電子發射射極之特性研究
    • 電子工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 李冠緯 指導教授:
    • 傳統的表面傳導電子發射射極由具有奈米狹縫之氧化鈀薄膜所組成。施加電壓於氧化鈀薄膜而產生穿隧電子與散射電子。雖然奈米狹縫為表面傳導電子發射射極很重要的一環,但奈米狹縫不易製造,且加工複雜。所以為了簡化…
    • 點閱:299下載:5
    • 全文公開日期 2015/06/25 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    7

    利用二氧化鈦披覆於垂直成長之奈米碳管束陣列做為染料敏化太陽能電池陽極之研究
    • 電子工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 粘凱翔 指導教授:
    • 在染料敏化太陽能電池中,電子-電洞對是來自於染料受到光的激發後所產生,因此增加染料敏化太陽能電池的效能最有效的方法就是增加陽極之表面積及導電性,為了增加染料分子附著的量,本實驗不僅利用奈米碳管具有大…
    • 點閱:434下載:3
    • 全文公開日期 2015/06/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    8

    利用改變圓柱陣列與披覆二氧化釕奈米結構增強奈米碳管之場發射特性
    • 電子工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 陳鏡安 指導教授:
    • 奈米碳管由於其高長徑比、低功函數等特性,被視為是下一世代場發射顯示器之理想材料。然而,要達到實際量產的程度,仍有許多問題需要克服,例如:穩定性、均勻性等。本實驗討論了兩種改善奈米碳管場發射特性的方法…
    • 點閱:490下載:3
    • 全文公開日期 2015/06/22 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    9

    金屬氧化物成長於奈米碳管上之電子場發射特性分析
    • 電子工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 連宦斌 指導教授:
    • 最理想化的六角形陣列之奈米碳管束使用熱化學氣相沉積法合成,為了增強奈米碳管的電子場發射特性,針形狀的二氧化釕與錐形狀的氧化鋅奈米結構分別使用金屬有機化學氣相沉積法與熱化學氣相沉積法成長於奈米碳管的表…
    • 點閱:453下載:5
    • 全文公開日期 2014/01/20 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    10

    奈米碳管束面積對場發射特性的影響
    • 電子工程系 /95/ 碩士
    • 研究生: 翁廷維 指導教授:
    • 本實驗利用熱化學氣相沉積法成長圖形化的奈米碳管束。利用微影製程在矽基板上製作出不同半徑與不同間距的圖形化。改變不同的成長時間來控制奈米碳管束的高度。鐵當做觸媒金屬層,鋁為緩衝層。成長碳管的最佳條件為…
    • 點閱:205下載:20