檢索結果：共73筆資料 檢索策略： "趙良君".cadvisor (精準)
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本研究提出了一種整合式陽極層離子源離子束濺鍍模組(Integrated Anode Layer Ion Source Ion Beam Sputtering Module, IAIBS)，並建立粒子…
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合，以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示，銀僅在氧氣分…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…
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本研究使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與氧化鈷摻銅薄膜，改變氧氣/氬氧的比例(Opf=O2/(Ar+O2)及製程溫度(150°C,300°C)，探討不同製程條件下對氧化鈷與氧化鈷摻銅薄膜之影響。實驗…
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀，藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜，之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積，在Opf = 100…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜， 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳以及氧化鎳摻銅薄膜，並針對研究氧氣流量比、沉積基板溫度以及摻銅濃度比例對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。氧氣流量比的提升會造成薄膜內鎳空缺的濃度增加，使得在…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜，改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度，探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…