檢索結果：共179筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究，我們在正負兩極皆使用電池材料Li3V2(PO4)3與電容材料摻氮碳材=1/1(w:w)製備成雙材料電極，組裝成混成電容器。透過X光繞射(XRD)來分析Li3V2(PO4)3的晶體結構，透過元…
2
功率金氧半場效電晶體是重要的分立元件。其元件特性包含低導通功率損耗、高輸入組阻抗、快速切換，以及承受大電壓及電流。其元件特性可作為開關使用，主要應用在功率轉換、整流、線路保護等，以電子產品來說用途相…
3
本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
4
本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
5
6
摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
7
此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
8
本論文主要是探討具有奈米尺寸厚度的多層二硒化鉬(MoSe2)層狀半導體(Semiconductor)撕之電傳輸特性，實驗上利用機械剝離(Mechanical Exfoliation)的方式製作不同厚…
9
本研究之錳酸鍶鑭(La1-xSrxMnO3, LSMO)薄膜因具有高的電阻溫度系數(Temperature coefficient of Resistance, TCR)之特性，所以是應用在非冷卻型…
10
本研究探討碳微管微型化超高電容器製作，並分析三種微型化超高電容器分別在在目前市面上常用的1M LiPF6,EC:DMC=1:1(v/v)有機電解液，PVdF-HFP為基質的膠態電解液，和1M TEA…