檢索結果：共76筆資料 檢索策略： "Cu".ekeyword (精準)
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本研究以Corning 0211玻璃為基材，以熱蒸鍍法在不同的基板溫度下，分別蒸鍍沈積 銅、金、銀及不同成分之銅鎳合金薄膜，以電阻-溫度特性曲線分析其電阻率及電阻溫度係數，再以X光繞射儀(XRD)及…
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隨著半導體製程技術的演進，銅已被廣泛作為內連線材料，由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而，銅與介電層存在著附著力的問題，且低溫下，銅便會與矽產生反應，此銅矽物在IC結構中，會造成元件失效…
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隨著半導體元件金屬導線製程不斷微細化追求更高解析度的技術。化學機械拋光平坦化(Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)不斷面臨許多挑戰。CM…
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本研究利用掃描式穿隧顯微鏡（Scanning Tunneling Microscopy, STM）來進行Co於Cu(111)基板上之成長機制與其表面形貌之研究。實驗結果顯示在成長Co於Cu(111)…
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本研究利用掃描式穿隧顯微鏡(STM)與表面磁光科爾效應儀(SMOKE)來進行Co在Cu(331)表面時成長情形與磁性之研究。實驗結果顯示Co成長在Cu(331)表面初期會在Cu(331)的(100)…
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Although a well established WGS industrial process has been developed, alternate catalysts are soug…
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在覆晶封裝中，凸塊底層金屬(UBM)扮演著重要的角色，Cu在UBM中常作為潤濕層，Au為常見的抗氧化層。本研究將使用純Sn銲料，與Au-xCu合金基材(x=15, 40, 60, 80 wt.%)製…
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本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜，Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%，經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
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近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究，而真空製程方式極多，主要分為濺鍍與蒸鍍，本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜，再將陶瓷CIGS…
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本實驗以反應式離子束濺鍍法沉積氧化鋅奈米粒子，探討Si、SiO2及銅團聚物等不同基板對奈米粒子之形貌及分佈之影響，研究結果顯示沉積時間下降或沉積溫度上升，奈米粒子的密度隨之減少。沉積於Si、SiO2…