檢索結果：共19筆資料 檢索策略： "Chiapyng Lee".eadvisor (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本文研究以實驗觀察的方法來決定Sn-Sb-Ag 三元系統在400℃、260℃、150℃的等溫截面相圖，實驗結果顯示 Sn-Sb-Ag系統不存在三元化合物，有二個完全互溶的區域，其中一個為Ag3Sn及…
2
本研究之目的為合成CuII(OCHMeCH2NEt2)2先驅物，並且利用此先驅物以化學氣相沈積的方法成長銅薄膜，藉由調整沈積溫度及沈積時間，探討成長出高純度且具有良好之平坦度、緻密性、連續性及低電阻…
3
本論文主要是研究先以Cu(hfac)2．H2O為先驅物並外加水來沈積氧化亞銅(Cu2O)薄膜之後，再利用乙醇將Cu2O薄膜還原成Cu薄膜的二階段化學氣相沈積成長方式之第二階段乙醇還原的過程。 首先我…
4
本研究主要是探討以射頻磁控濺鍍(RF magnetron sputtering)之系統沉積二氧化鈦以及含氮二氧化鈦薄膜於鈦/矽基材上，或者再以鍛燒的方式對膜材進行後處理，探討氣體流量參數以及後處理溫…
5
本研究主要提出一種新穎的二階段化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)成長銅晶種層(Seed layer)於氮化鉭(TaNx)阻障層薄膜的應用之…
6
本研究以有機金屬化合物(hfac)CuI(COD)為先驅物的化學氣相沈積系統探討金屬銅薄膜的成長動力及其材料分析。我們將探討沈積溫度及銅先驅物分壓對反應速率的影響。經由數據分析，探討反應機構及動力模…
7
本研究主要以反應性濺鍍來成長NbNx薄膜於銅-矽基材多層膜系統中擴散阻障層失效機制的研究。觀察N2/Ar流量比對NbNx薄膜之沈積速率、N/Nb原子比、結晶結構、電阻率及表面型態之影響。實驗結果顯示…
8
本研究以先驅物(hfac)CuI(COD)在不同的TaNx阻障層上，利用化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)進行沉積銅晶種層(Seed l…
9
本論文分別就兩個主題進行研究討論：一為反應性濺鍍氮化鋯薄膜及其作為銅導線之阻障之研究，另一為以鎳電極系統作為生物感測器。 有關於擴散阻障層的部分，VLSL技術的發展，常利用銅作為內接線材料，但在低溫…
10
本研究是利用大量製造技術，即所謂的網印技術，來製造便宜且可拋棄式的安培式血糖測試片。本研究希望能夠建立一套標準程序用來製造有良好再現性且成本低的血糖測試片。本研究成功的利用網印技術製造血糖測試片。本…