檢索結果：共30筆資料 檢索策略： "氮摻雜".ckeyword (精準)
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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異質元素的奈米碳材摻雜可以改變許多例如光學、物理、化學及結構等特性。改善後的特性能更廣泛的應用在不同領域，像是電子元件、能量儲存或生物醫療等方面。此篇論文沿用本研究室先前發展出有效的方法，在大氣常壓…
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PEMFC轉化效率高、啟動時間短且乾淨無污染。具有極大潛力作為未來替代能源。但其商業化的阻礙為低耐用度與高成本。而目前研究指出，氮摻雜碳觸媒(N-doped Carbon)與硒化鈷觸媒(CoSe2)…
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LiFePO4具有潛力成為下一代陰極材料，其具有低成本、環境友好性及高熱穩定性之優點，但受限於材料本身之低導電性，因而循環及高速率充放電表現仍舊不佳。本研究利用氮摻雜碳進行LiFePO4之包覆，試圖…
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本論文成功使用熱化學氣相沉積法成長六角形排列之奈米碳管束陣列，並將氮原子摻雜於奈米碳管中增強其場電子發射特性。此論文中分別使用二種方法將氮原子摻雜於奈米碳管。(1)利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管時…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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類鑽碳膜（Diamond-like carbon, DLC）具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中，使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…