檢索結果：共145筆資料 檢索策略： "摻雜".ckeyword (精準)
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全固態電池（ASSLB）目前被認為是當前鋰離子電池技術的未來方向之一，因為它們具有更高的理論能量密度和更高的安全性。在ASSLB之中重要的組成是固態電解質（SE），其條件高離子傳導率和熱穩定性。在各…
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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中文摘要 本研究是將市售二氧化鈦光觸媒(P25)置於管狀高溫爐中，接著通入氨氣進行氮摻雜改質，分別改變不同鍛燒溫度以及氨氣流量作為探討因子，藉由讓O 2P軌域和N 2P軌域重疊以縮短能隙，…
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近年來，石墨烯材料被大量地研究以及產品化，因為石墨烯本身具有優越的性質，如質量很輕、耐酸鹼、良好的導電與導熱的特性，可被用來發展在複合材料、生醫工程、電子元件、太陽能電池及感測器上等等，但石墨烯因為…
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石墨烯具有高電子遷移率, 高導電性及高穿透性等優越的特性. 石墨烯會吸附大氣中的氧原子與水氣表現出 p-type 的特性. 透過氮電漿摻雜以及電化學摻雜可以對石墨烯進行 n-type 的摻雜. 藉由…
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近幾年來，薄膜電晶體技術(TFT)發展地非常迅速，它被廣泛的應用在積體電路和顯示器設備上。傳統上薄膜電晶體大多使用非晶矽材料，但銦鎵鋅氧化物在近年來也逐漸被關注，它擁有更快的載子遷移率，能夠更有…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…