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    1

    離子束濺鍍法沉積氧化銦錫透明導電膜之特性研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 黃堂益 指導教授: 趙良君 林保宏
    • 摘要   本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上,在室溫狀態下,分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離,來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加,氧氣的低濺…
    • 點閱:282下載:0
    • 全文公開日期 2022/03/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    分子動力學模擬原子鎢/鎳濺鍍在銅基材上之薄膜成長行為
    • 機械工程系 /103/ 碩士
    • 研究生: 林岳宗 指導教授: 林原慶
    • 本論文使用分子動力學模擬(molecular Dynamics, MD)模擬原子鎢/鎳濺鍍在銅基材,探討薄膜的成長機制與成長形貌,並且使用粗糙度及覆蓋率來評估薄膜品質,而模擬的濺鍍製程參數包括基材的…
    • 點閱:260下載:1

    3

    釔安定性氧化鋯薄膜濺鍍於多孔性電極及AAO基板及其氧氣幫浦之研究
    • 機械工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 葉治全 指導教授: 周振嘉
    • 本研究以磁控濺鍍之方式,製作氧化白金(Oxide Platinum)、純白金(Pure Platinum) 以及共濺鍍Pt + YSZ 等三種不同電極於多孔性陽極氧化鋁(anodic aluminu…
    • 點閱:378下載:1

    4

    濺鍍法製備硒化銅錫鋅薄膜太陽能電池及其分析
    • 應用科技研究所 /98/ 碩士
    • 研究生: 吳先本 指導教授: 郭東昊
    • 近年來,由於能源的危機,大家紛紛投入太陽能電池的研究與發展。目前化合物薄膜太陽能電池以銅銦鎵硒為主,但由於成本高昂,故無法普及化,因此需要新的材料來控制成本,因而發展出硫化銅錫鋅與硒化銅錫鋅兩種化合…
    • 點閱:202下載:4

    5

    以反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜
    • 電子工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 胡晧霆 指導教授: 趙良君
    • 使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材,以(111)矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
    • 點閱:247下載:1

    6

    濺鍍法製備硒化銅錫薄膜與其特性分析
    • 材料科學與工程系 /97/ 碩士
    • 研究生: 黃瑋迪 指導教授: 郭東昊
    • 近年來,有越來越多人開始投入太陽能電池的研究,因此技術進步的很快,目前研究雖然都有不錯的轉換效率,但由於成本高昂,故一直無法普及,因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的,然而在各種新材料被研究…
    • 點閱:266下載:2

    7

    銅-鋅-錫 靶材濺鍍製備效率3.7 % 之薄膜太陽能電池及其分析
    • 材料科學與工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 許晉通 指導教授: 郭東昊
    • 由於能源危機的出現,使得再生能源備受全世界矚目。其中太陽能電池為最具有潛力能取代石化燃料的絕佳選擇之一。在此領域裡,硒化銅銦鎵薄膜太陽能電池已經被研究並使用一段時間了。然而,稀有元素銦和鎵的使用,造…
    • 點閱:252下載:1

    8

    雙階段濺鍍技術之氧化鋅薄膜殘留應力分析
    • 機械工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 林宛盈 指導教授: 趙振綱
    • 中文摘要 當薄膜沈積於基材上會受到製程參數與晶格常數的不同造成殘留應力的發生,而殘留應力將會影響薄膜之晶格結構與表面粗糙度,且隨著元件之使用環境、溫度、濕度等條件的變化,進而使得薄膜產生與基材剝離的…
    • 點閱:181下載:5

    9

    以反應性離子束濺鍍法成長氧化鋅薄膜
    • 電子工程系 /96/ 碩士
    • 研究生: 蔡富傑 指導教授: 趙良君
    • 本文是以反應性離子束濺鍍法成長氧化鋅薄膜,嘗試在兩種不同反應濺鍍環境:一是“氧氣直接通入腔體”;另一是“氧及氬氣同時通入離子槍”作反應性濺鍍,並探討通入氧流量的多寡對薄膜性質、光學、結構的影響。在未…
    • 點閱:168下載:0
    • 全文公開日期 2011/02/01 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    10

    以氧化鋯和氧化鋯-氧化鎳薄膜為介電層進行單極式電阻切換研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 栗漢翔 指導教授: 周賢鎧
    • 本篇論文研究以Al作為上下電極,使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層,製備 電阻式記憶體元件,並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
    • 點閱:349下載:9