檢索結果：共52筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="薄膜"
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本研究透過理論分析及有限元素數值計算，探討壓電陶瓷圓盤及圓環在單層、雙層並聯型於不同邊界條件下的面外振動特性，以及具有特定張力大小的圓形、環形薄膜於軸向無阻尼自由振動下的特性，接著以理論分析探討並聯…
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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透明導電氧化物薄膜(Transparent conductive oxides, TCO)為一種兼具透明與導電兩種特性的材料，故被廣泛地應用於不同的電子設備上，如發光二極體、觸控面板與太陽能電池。然…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜，改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度，探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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本研究使用穿透式電子顯微鏡與掃描穿透式電子顯微鏡技術，分析薄膜高熵氧化物異質介面系統分析。 一種基於尖晶石結構的高熵氧化物，成長在兩種不同的氧化物基板上，並使用聚焦離子束製備試片。在高解析穿透式電子…
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本文使用計算流體力學方法，建立模內裝飾射出成形充填過程之數值模型，並利用不同製程參數條件進行模內裝飾射出成形之充填模擬分析，以了解在模內裝飾射出成形中各參數對於滯熱溫度之影響。本研究使用連續、動量及…
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本研究是利用磷酸鈣部份包覆光觸媒製備成類似多層構造的複合物，再與不同分子量 PEG 鏈段之 PEG Silicone Polyester 黏著劑，混掺成聚合物，藉以塗佈於基材上，可延緩因光觸媒直接接…