檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "X光繞射".ckeyword (精準)
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焦電薄膜感測器乃利用焦電效應，將溫度變化轉為焦電訊號。焦電感測器之焦電響應為感測器優劣之重要指標，其中影響焦電響應主要因素為焦電薄膜品質，而薄膜品質與薄膜之表面形貌、晶格結構及殘留應力等息息相關。本…
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本論文是利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長層狀半導體Mo(SxSe1-x)2，其傳導劑為碘 (I2)。從X光繞射實驗可以確定此系列單晶之成分…
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…
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本論文以化學汽相傳導法(Chemical vapor transport method)，利用碘(Iodine)當作傳導劑成長出Mo1-xNbxS2(0 ≤ x ≤ 1)共21種系列成分化合物之單晶…
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本論文研究主題可分為兩部分，第一部份探討利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作為保護劑所合成出之銀和金奈米粒子因加熱所造成的結構變化以及奈米粒子與一般常使用的銅、鎳電子金屬基板之間的反應。利用新竹國家同步輻…
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金屬玻璃(Metallic glasses)之發展，自1960年代以來已有眾多學術研究歷史。由於金屬玻璃是採用快速冷卻凝固法而形成非晶態之金屬，同時兼具有高強度、高化學穩定性、抗磨耗等性質，可運用在…
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本論文利用化學氣相傳導法（Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硫化鉍系列晶體，藉由使用不同傳導劑三氯化碘或碘成功成長出Bi2S3和(Bi(Bi2S3)9I3)…
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本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體，對此系列晶體進行晶體結構分析，並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
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本研究針對過量鋰層狀材料結構的變化，藉由臨場分析技術進行結構變化的分析，以獲得在不同狀態下材料結構變化的趨勢。經臨場X光繞射分析得知，當充電至>4.4V時可發現異相結構特徵峰的產生，顯示材料充電至高…