檢索結果：共85筆資料 檢索策略： "Nanowires".ekeyword (精準)
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本論文研究主要分為三大部分，第一部份主要是研究如何在不使用界面活性劑(surfactants)或模板(templates)的情況下，在具有光觸媒能力的氧化物(TiO2)薄膜上以“熱輔助光還原法”(t…
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A novel synthesis and growth method achieving vertically aligned zinc oxide (ZnO) nanowires on sili…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
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本研究之一是利用NiFe鍍料以熱蒸鍍之方式，將薄膜鍍在170 μm厚之玻璃基板上，使成長為單層、厚度為100 nm之連續薄膜。 再利用微影蝕刻技術將連續薄膜製作成半徑為20μm之圓(或邊長為40 μ…
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關鍵字；氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)…
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In this research, we analyze the epitaxial growth of SnO2 nanowires on the gold-seeded sapphire SA …
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本研究主要為銅-鍺合金的奈米線材料的製程、材料微結構分析和電性量測表現。分為兩大主題，Cu3Ge和Cu3Ge/Ge材料系統。第一部分為金屬線的Cu3Ge，在Cu3Ge的系統中在熔點以下和熔點…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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本論文研究內容分為三大部分：SnS2奈米片的成長與結構分析及退火前後電性變化及退火參數的討論。第二部分為不同組份的GaSb奈米線之製備與結構分析、探討退火對於異質結構的擴散情形及黃光製程上對應的量測…