檢索結果：共97筆資料 檢索策略： "Liang-Chiun Chao".ecommittee (精準)
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本研究利用以三氮化氫(HN3)為氮原子源之化學束磊晶系統(CBE)成長氮化銦(InN)於氧化銦錫(ITO/Glass)和藍寶石(C-plane sapphire)基板上，並研究其光學性質。 多晶氮化…
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針對使用DC做為電源的Sputter在(100)方向的矽晶圓上所沉積的非晶矽薄膜，以高溫爐600°C的退火方式，在充滿氮氣的環境之下對非晶矽薄膜進行固態磊晶成長，並且分別以R-HEED(反射式高能電…
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本論文著重探討二氧化錫(tin oxide, SnO2)奈米線之光電導特性與其傳輸機制。在計算光電導增益(photoconductive gain, Γ)的部分，我們可透過3.0 V的低偏壓便量測出…
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本論文主要探討有機金屬化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)成長之銳鈦礦(anatase)與金紅石(rutile)結構二氧化鈦…
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微晶矽薄膜電晶體近來已被廣泛的研究，其擁有可大面積低溫成長的優點，且元件特性又優於非晶矽薄膜電晶體，例如，較高的電子移動率及較低的能帶間隙，普遍被認為將來可以取代非晶矽薄膜電晶體在大尺寸液晶顯示器上…
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複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛被應用在不同的產品上，例如：靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等，原因在於複晶矽薄膜電晶…
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本論文主要是探討具有奈米尺寸厚度的多層二硒化鉬(MoSe2)層狀半導體(Semiconductor)撕之電傳輸特性，實驗上利用機械剝離(Mechanical Exfoliation)的方式製作不同厚…
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透明導電薄膜(Transparent Conductive Oxides ，簡稱TCO)近二十年成為了半導體產業常用到的材料。由於同時具備透光性以及導電性，可以應用各種光電產業元件。目前最常使用的透…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
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由於染料敏化太陽能電池之電子電洞對是由受光激發之染料所產生，因此增加染料敏化太陽能電池之光電轉換效率最有效的方法即為增加其陽極之導電性及可用的表面積。為了增加染料的吸附面積，本實驗利用垂直配向之奈米…