檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "EKF-CMP".ekeyword (精準)
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進,晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小,在微型化發展過程中,為達金屬導線線寬微小化之目的,則需進行高解析度之微影製程,晶圓表…
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隨著半導體產業發展,三維堆疊積體電路(3DS-IC)是一項突破莫爾定律的關鍵技術,由矽導微孔(Through-Silicon-Via, TSV)晶圓可作為中介層(Interposer)進行異質元件間…
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隨著半導體產業發展,三維堆疊積體電路(3DS-IC)為突破莫爾定律的關鍵技術之一,其透過中介層(Interposer)之使用進行異質元件間三維堆疊接合。目前中介層主要為矽穿孔(Through-Sil…
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三維堆疊積體電路(3DS-IC)被認為是一項突破摩爾定律關鍵技術,由矽導孔晶圓(TSV)及玻璃導孔晶圓(TGV)作為中介層(Interposer)材料進行三維異質元件堆疊,TGV所需使用的無鹼玻璃基…
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在半導體積體電路製程中,局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機,利用電雙層…
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本研究主要為設計雙向交錯式電極,研發新一代電致動力輔助化學平坦化(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Plolishing, EKF-CMP)系統,應…
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本研究透過交錯式電極最佳化設計,以優化電致動力輔助化學機械平坦化製程(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Planarization, EKF-CMP…