檢索結果:共125筆資料 檢索策略: "Bohr-Ran Huang".ecommittee (精準)
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本論文提出了一種推導非等向性晶體(anisotropic crystal)穆勒矩陣(Mueller Matrix)的新方法,這類晶體如鈮酸鋰(LiNbO3),經常用於電光調變器。非等向性電光晶體中的…
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程,結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程,製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜,並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層,應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本研究探討製備p-Cu2O/n-ZnO及p-Cu2O/n-AZO異質接面型太陽能電池,首先製備p-Cu2O主要分為兩種方式,分別為RF氧氣電漿與微波電漿;其次n-ZnO與n-AZO主要以濺鍍法製…
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯,並利用兩種改質方式修飾石墨烯,一種為紫外光臭氧處理,可以提高石墨烯表面含氧官能基,增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果,另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面,適當分布…
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本研究以具有銦錫氧化物(Indium tin oxide,ITO)薄膜的玻璃為基材,反應濺鍍氧化矽中間電阻層,濺鍍摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped zinc oxide,AZO)為上電極,製…
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO),三種材料系…
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本論文研究的內容分成四個部分。第一個部分是在矽基材上製備鎳金屬觸媒,利用無電解鍍鎳法先在基材上鍍上一層鎳的薄膜,以利使用SLS機制成長矽奈米線。 第二部分為藉由熱退火處理的機制,在高溫爐管中進行熱處…
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本研究利用葡萄糖及尿素作為前驅物,透過水熱法合成石墨烯量子點(GQDs)與摻氮石墨烯量子點(N-GQDs),經由透析後GQDs與N-GQDs HRTEM圖之平面間距驗證此為石墨烯量子點,其平面間距分…
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本研究分為兩個部分,第一部分是透過磁控式濺鍍系統濺鍍一層銅膜在銅箔上以及含有氧化層之矽基板上,搭配快速升溫化學氣相沉積法製備雙層石墨烯(Bilayer graphene, BLG),分…