檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "2D material".ekeyword (精準)
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
二維 (2D) 過渡金屬二硫屬化物 (TMDs) 已成為下一代納米電子學的有希望的候選者。然而，二維TMDs材料的大面積、高質量和優異穩定性的生長仍然是一個很大的挑戰。在這項工作中，我們提出了一種單…
2
本論文利用化學氣相傳導法，成長出過渡金屬硫屬化合物半導體材料 CuInP2Se6，並研究其結構、光學與電學特性。藉由能量色散X射線光譜、X 射線光電子能譜儀確認成長之材料成分與預期相符。高解像能電子…
3
本論文研究的半導體奈米材料有三種，分別為SnO2/SnS2異質結構奈米片、SnxSe(1-x)奈米線以及SnSe2/SnSe異質結構奈米片。 第一部份，SnO2/SnS2異質結構奈米片以CVD製程成…
4
本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
5
自2004年石墨烯被證實能單獨穩定的存在於自然界中，為世人開啟了名為二維材料領域的序幕，而擁有半導體能隙特性的過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)包…
6
中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
7
許多合成奈米材料的溶液系統中，定向附著成長機制已經被發現，然而，這樣的生長機制尚未在氣相沉積二維奈米材料系統中被探討。此研究中，利用硫與錫粉末成長二硫化錫奈米薄片，自不同的生長階段焠火以探討其生長機…
8
本論文主要聚焦在二硫化鉿的材料成長及其光學、電子元件性質等上應用。因第四族 過渡金屬(如鋯和鉿)二硫化物具有獨特的特性，如電子遷移率與傳統的第六族過渡金 屬(鉬和鎢等)二硫化物相比，約為其理論值的5…
9
10
近幾年來，由於二維奈米結構與相對應的塊材比較時，研究顯示出獨特的物理及化學性質而迅速發展。在這項工作中，首次採用化學氣相沉積法在二氧化矽/矽基板上成長了約12微米的六邊形硒化鎳奈米片，量測硒化鎳奈米…