檢索結果：共105筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準)
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性，並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現，雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm，並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本實驗以Zn+ZnO當作反應源，利用鋅蒸氣氧化法成長氧化鋅一維材料，並討論不同觸媒、不同觸媒製備方式、不同基板、複合觸媒以及基板粗糙度對氧化鋅一維材料成長之影響。 在觸媒的選擇上，我們使用了Sn…
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摘要 鋅蒸氣氧化法具有低成本、大面積製作等優點，故本實驗利用此法合成氧化鋅奈米結構，並透過討論不同基板、觸媒以及觸媒沉積方式等條件下對氧化鋅一維奈米結構成長之影響。 實驗成長條件為使用1克之金屬鋅粉…
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酵素動力學被廣泛地運用在代謝網路和生物化學領域，尤其是大 型代謝模組的系統路徑。其中影響酵素反應速率的因素很多，例如反 應物的濃度、酵素濃度或抑制劑皆會影響。所以運用適當的演算方法 及動力學參數可以…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。以此方式製作太陽電池，於標準AM 1.5光源下，雖不具抗反射膜，但轉換效率可達9.93…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜，由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術，經由準分子雷射退火後，可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…