檢索結果：共31筆資料 檢索策略： "胡毅".ccommittee (精準)
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程，結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程，製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜，並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本論文的研究內容可以分成三個階段來探討，第一階段是利用SLS機制直接於矽基材上成長矽奈米線，實驗採用金顆粒作為催化劑，並使用石英管爐通入氫氬混合氣後加熱至850 ℃以上來成長矽奈米線，並改變溫度與持…
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本論文之目的是在多孔矽上堆疊氧化鋅，藉由結合多孔矽與氧化鋅兩種發光材料，以研製出能發白光的機構。 多孔矽以陽極蝕刻法生成，基材為n型矽晶片，當氫氟酸濃度在12%，照度維持2.5 mW/cm2，電流密…
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中文摘要 本論文研究在氧化鋁基材上利用網印法塗佈高溫銀膠，經高溫燒結後作為電極，接著以真空磁控濺鍍法於其上成長鈷薄膜，再於不同氣氛下以加熱板直接加熱使其表面產生微奈米結構氧化鈷，以提高其比表面積，製…
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本篇論文研究以Al作為上下電極，使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層，製備 電阻式記憶體元件，並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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本研究探討製備p-Cu2O/n-ZnO及p-Cu2O/n-AZO異質接面型太陽能電池，首先製備p-Cu2O主要分為兩種方式，分別為RF氧氣電漿與微波電漿；其次n-ZnO與n-AZO主要以濺鍍法製…
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本研究利用CeO2-ZrO2固態氧化物為參考端來製備薄膜型氧氣感測器。首先以磁控式共濺鍍系統沉積Pt-YSZ薄膜，並利用不同還原條件以形成多孔的Pt-YSZ電極。多孔的電極結構是為了增加其三相介面比…
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯，並利用兩種改質方式修飾石墨烯，一種為紫外光臭氧處理，可以提高石墨烯表面含氧官能基，增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果，另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面，適當分布…
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本研究中選用金屬類材料Al、GL、TiZn-P、SUS304、SUS304CF與非金屬類材料PVDF、Glass、Si wafer合計8種樣品，將添加不同比例的TS-720疏水性二氧化矽奈米粉末之I…