檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="硒化鎵"
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此論文中,研究主要被分為三大部分:首先,探討GaS及Ga2S3 奈米片引入SnI2和I2之成長情形和GaS應用於光感測器之性質分析;第二部分,GaS奈米帶之光電性質分析及Ni退火後對元件產生之結構及…
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硒化鎵 (Gallium Selenide, GaSe) 為 III-VI 族層狀半導體,不同層之間,由弱凡得瓦爾力 (Van der Waals force) 鍵結,使得層與層之間可以較容…
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本研究使用布里茲曼法成長硒化鎵(Cd=1%)塊材,並利用機械剝離法取得硒化鎵(Cd=1%)薄片,利用氮電漿處理改變其半導體特性,經過電荷中性點量測和FET載子量測發現成功使硒化鎵(Cd=1%)從p型…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體,並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測,藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…