檢索結果：共20筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="化學氣相沉積"
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本研究探討利用化學氣相沉積系統於二氧化矽/矽基板上成長二硫化鉬薄膜並分析其光電特性實驗中。分別利用熱蒸氣沉積以及熱蒸氣硫化兩種成長方法製備二硫化鉬薄膜。熱蒸氣沉積製備方法為將三氧化鉬粉末與硫粉在高溫…
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二維層狀半導體第六族過渡金屬硫族化物由於具備極大延續摩爾定律潛力，近年來廣受關注。為了達到大規模商業化生產，生長高品質與大面積第六族過渡金屬硫族化物薄膜成為重要議題之一。因此，本研究利用化學氣相沉積…
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由於過量鋰材料擁有高比電容量~270 mAhg-1及高工作電壓特性，近十年受到廣泛的研究。然而，因其導電性不佳、於長圈數測試下電壓衰退及界面的不穩定性，導致尚無法導入實際應用。 本研究分為兩個策略進…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
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利用銅箔以化學氣相沉積的方法成長石墨烯，利用濕式轉移方式將石墨烯轉移至平面矽基板、金字塔結構矽基板以及矽奈米線基板上。在平面矽基板上轉移不同層數石墨烯場發射。量測不同層數石墨烯的功函數。石墨烯的邊緣…
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本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
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本論文藉由四異丙基鈦前驅物進行化學氣相沉積，研究二氧化鈦奈米桿成長於二氧化錫摻雜氟(FTO)的導電玻璃及SA(100)基板上。藉由控制不同的化學氣相沉積成長條件，可得到金紅石結構、銳鈦礦結構與兩結構…
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奈米碳管具有優異的機械、電性、光學和化學等特殊性質特性，在目前的材料研究領域上站有重要的地位。以目前的商業生產技術，主要包括了雷射蒸發法(laser vaporization)以及化學氣相沉積法(c…
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本實驗利用具有大表面積及優越導電性的一維氮化銦(InN)奈米帶作為以化學氣相沉積法共沉積Pt-Ru雙金屬觸媒的模版，探討觸媒沉積後的組成、形態，及其電化學性質，期待作為直接甲醇燃料電池中陽極觸媒方面…
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本實驗以不鏽鋼基板 (SUS304)為基底，並在其上成長奈米碳管陣列，而後利用熱化學氣相沉積的方式合成出二硫化鉬，並將其披覆於奈米碳管陣列上，將之作為電雙層電容器之電極材料。奈米碳管本身不僅具有高導…