檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="光感測器" and ckeyword.raw="石墨烯" and ckeyword.raw="石墨烯"
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本研究分成四部分,第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG),以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中,利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯,並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜,以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯,並利用兩種改質方式修飾石墨烯,一種為紫外光臭氧處理,可以提高石墨烯表面含氧官能基,增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果,另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面,適當分布…
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本研究分為兩階段,第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源,以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯,並以純石墨烯做為比較,探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…