本論文是以藍光二極體氮化鎵(GaN)晶片為基材，以熱蒸鍍法依序蒸鍍Au、AuBe及Au於氮化鎵晶片後，再利用快速升溫爐與傳統管狀爐兩種不同之加熱方式，進行試片之合金化熱處理。
當試片經過快速升溫熱處理，其金屬層內相組成於300至450℃之間，主要為Au、Au3Be及金鎵化合物，當溫度達到500℃時，其金屬層內發現有鈹氮化合物。
當試片經傳統520℃熱處理後，試片表面有許多島狀氣孔的產生，其金屬層內相組成為金、鈹氮化合物及金鎵化合物，且此時鈹氮化合物析出於氮化鎵及金屬的界面處。可能原因為氮化鎵的分解，部分氮分子與鈹形成鈹氮化合物，於AES縱深分析中形成富鈹含量的區域，其餘的氮分子則脫離金屬表層，在金屬層表面形成島狀氣孔結構。

The paper studied the Ohmic contact on blue light emitting diode. For metallization layer of Au/AuBe/Au on GaN(0001) wafers and evaporated the Au/AuBe/Au layers onto the GaN wafers by a thermal evaporation method. After the evaporation process the GaN wafers were annealed in either rapid thermal annealing furnace or traditional tube furnace for the alloying processes.
The Au/AuBe/Au layers on the GaN wafers indicated that the metal layers are mixed with Au and Au3Be phases form 300 to 450℃ in the RTA process. In the RTA processes at 500 oC the dissolution of Au3Be, and the metal layer are mixed Au and Be-N compound.
Traditional tube annealing at 520℃, the metal layer are mixed Au, Be-N compound and Au-Ga compound. The surface of structure had many bubble and the Be-N compound segregated at the interface of metal and semiconductor. Because of the dissolution of the GaN, some of the nitrogen left the metal layer and made many bubble. Some of the nitrogen made compound with Be.

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