檢索結果：共111筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準)
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
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本論文旨在探討碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披覆氮化鎵奈米尖錐及其特性分析。實驗首先以射頻式濺鍍系統沉積純銀薄膜，接著經由熱氧化方式形成雙層遮罩結構，最後使用碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披…
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性為…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術，本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體製程技術為目的，可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，也更加廣泛地應用在不同規格中；依其結構又可分為空乏型氮化鎵與增強型氮化鎵。在電源轉換器不同切換頻率下，空乏型氮化鎵與增強型氮化鎵高電…
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在RF射頻收發機中，PLL的特性非常重要，PLL內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而為了追求低功耗，低相位雜訊，與較寬的除頻…
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本論文是以藍光二極體氮化鎵(GaN)晶片為基材，以熱蒸鍍法依序蒸鍍Au、AuBe及Au於氮化鎵晶片後，再利用快速升溫爐與傳統管狀爐兩種不同之加熱方式，進行試片之合金化熱處理。 當試片經過快速升溫熱處…