檢索結果：共24筆資料 檢索策略： "Yih-Lang Li".ecommittee (精準)
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在先進半導體製程中，佈局特徵的急劇縮小對電路延遲和電子遷移（EM）現象產生了重大影響。近來，網狀式堆導通孔（MSV）被提出作為改善電路時序和信號完整性的解決方案，每個MSV都是由平行金屬線和導通孔組…
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隨著近代積體電路的製程不斷演進，導線的阻抗的影響以及其造成的訊號延遲的影響也顯著的提高。為了解決這個問題，一種新的灌孔構造──「階梯式灌孔」(Via Ladder)被提出。然而，在繞線階段前的階梯式…
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隨著積體電路技術的快速演進，PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)電路設計複雜度顯著的增加，現今一個密集的 PCB 板涵蓋了數以千計的接腳(Pin)和信號線(Signal …
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電路時序延遲逐漸成為決定電路效能的重要因素，時鐘樹的設計也日益重要。樹狀結構時鐘樹(tree-based clock network)由於擁有容易實現與分析的優勢，因此特別適合用於規模較小之晶片實作…
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隨著先進製程快速發展下，佈局圖案(Layout pattern)更容易受到製程變異(Process variation)的影響，其中有些佈局圖案雖然能通過設計法則驗證(Design rule che…
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多電子束微影 (Multiple E-beam Lithography) 作為最有希望的次世代微影技術(Next Generation Lithography)，可用來解決傳統電子束的低產量問題。在…
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由於下一代微影技術的延遲，對於現今10 奈米的製程節點，多 圖樣微影技術仍然是突破微影極限的主要方案。在本篇論文中，我們 提出一個保證連通層可分解性之三圖樣微影感知的細部繞線器。在此 研究中，繞線器…
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由於下個世代的微影技術發展嚴重落後，多重圖案微影技術被視為最有展望能突破20 奈米限制的技術。自動對準多圖案微影技術(self-aligned multiple patterning)透過間隙壁(s…
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定向自組裝多圖案混合式微影(directed selfassembly technology with multiple patterning lithography)非常適用於製造 10 奈米以下…
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定向自組裝 (directed self-assembly technology) 的技術在10 奈米以 下的導通孔 (contact/via) 的製造上展現了其優勢，為了讓導通孔有 足夠的重疊精度…