檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "XRD".ekeyword (精準)
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本研究利用共沉澱法製備未摻雜和摻雜11at%Cr之二氧化鈰奈米顆粒，在300℃不同氣氛(O2、Ar、Ar+H2)下進行退火，以控制CeO2的缺陷數量，再利用程溫還原(Temperature Prog…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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氧化釕與氧化銥(110)晶面之脫氧行為的研究可讓我們瞭解還原路徑與可能的反應位置。本研究利用拉曼光譜、X射線光電子能譜、掃描式穿隧顯微鏡、掃描式電子顯微鏡與X射線繞射分析氧化釕與氧化銥(110)之晶…
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本論文研究主題可分為兩部分，第一部份探討利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作為保護劑所合成出之銀和金奈米粒子因加熱所造成的結構變化以及奈米粒子與一般常使用的銅、鎳電子金屬基板之間的反應。利用新竹國家同步輻…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs，層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…
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本論文利用化學氣相傳導法（Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硫化鉍系列晶體，藉由使用不同傳導劑三氯化碘或碘成功成長出Bi2S3和(Bi(Bi2S3)9I3)…
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本論文使用化學氣相傳導法( Chemical Vapor Transport，CVT）並以碘作為傳導劑成長鉻摻雜之二硒化鉬 (Mo1-xCrxSe2，x=0, 0.01, 0.05, 0.1…
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本研究針對過量鋰層狀材料結構的變化，藉由臨場分析技術進行結構變化的分析，以獲得在不同狀態下材料結構變化的趨勢。經臨場X光繞射分析得知，當充電至>4.4V時可發現異相結構特徵峰的產生，顯示材料充電至高…
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本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性，首先，我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport，CVT）並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
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本研究針對過量鋰正極材料Li[Li0.2Ni0.2Mn0.6]O2及奈米矽碳負極材料等高電容量先進電極材料進行結構衰退機制及電化學效能分析之研究。針對過量鋰正極材料Li[Li0.2Ni0.2Mn0.…