檢索結果：共19筆資料 檢索策略： "磊晶".ckeyword (精準)
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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針對使用DC做為電源的Sputter在(100)方向的矽晶圓上所沉積的非晶矽薄膜，以高溫爐600°C的退火方式，在充滿氮氣的環境之下對非晶矽薄膜進行固態磊晶成長，並且分別以R-HEED(反射式高能電…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶，成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長，以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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台灣發展LED產業已經有三十餘年，在此期間，台灣的LED產業從最早的下游封裝測試，不斷地向中游的晶粒製造邁進，最終產業昇級到了上游的磊晶片製造，而這些珍貴且完整的LED產業鏈能夠在台灣深耕，除了要感…
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本論文的主題分為四部分:(1)利用三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)/氨氣(NH3)為反應先驅物以原子層磊晶法(ALE)合成氮化鎵(GaN)並對其成長行為做一整體性探討；(2)探討…
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本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…