檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "氧化亞銅".ckeyword (精準)
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本論文的研究目的為製備不同形狀及大小的氧化亞銅微奈米粒子，並將其應用於抗菌試驗及以電化學方式感測對硝基苯酚。在氧化亞銅製備方面，藉由使用兩種不同性質的界面活性劑: cetyltrimethylamm…
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本研究透過電子束蒸鍍法、溶劑熱法和水熱法製備出不同表面形貌的氧化鎢(WO3)光陽極材料，光電化學分析結果顯示：利用水熱法合成之片狀WO3薄膜擁有最佳的表現，在1.23 V (vs. RHE)下，光電…
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本研究以原子力顯微鏡(AFM)於水溶液環境即時觀察黃銅合金於0.1 wt% 氯化銅水溶液中的腐蝕現象。結合場發射電子微探儀，觀察分析黃銅試片表面於腐蝕時所生成的蝕孔及氧化物，並利用X光繞射儀分析試片…
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本研究以氧化亞銅奈米立方體做為非酵素型葡萄糖感測器的電化學觸媒，在氧化亞銅奈米立方體的製備方面，藉由合成時調控不同濃度之陽離子界面活性劑cetyltrimethylammonium bromide …
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜，由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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在此研究中，製備出p-氧化亞銅/ n-二氧化鈦異質接面光觸媒，並將其成功應用於光催化還原反應，本研究利用還原六價鉻來測試光觸媒光催化還原的能力。 本研究使用n型半導體-二氧化鈦為載體，在外面成長氧化…
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本研究利用不同參數之反向式濺鍍蝕刻法(inverse sputter etching technique)轟擊半導體材料表面以去除潛在的表面汙染物，如天然氧 化物與碳氫化合物，使其半導體-金屬接面之…