檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="非晶氧化物半導體"
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由於 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性,使 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性,使 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性,使 它們在新興的薄膜電晶 它們在新興的薄膜電晶 體應用上成…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…