檢索結果：共19筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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此研究利用接觸角量測儀以及X光電子能譜儀驗證阻擋層對於圖案化ITO玻璃基板具有良好選擇性，從而有效阻止矽烷基團與ITO表面進行鍵結，而利用移除試劑移除後，電極功函數與原先之差異並不大。並探討兩種相反…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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金屬氧化物薄膜電晶體除了可以當開關元件之外，其還可以當作光電晶體，相較於過去的光電二極體，其具有更高的響應度與靈敏度。本篇論文提出使用氧化銦鋅錫做為光感測薄膜電晶體的主動層，利用其具寬能隙且較過去較…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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為了獲得高性能高均一性的薄膜電晶體，我們藉由透鏡陣列輔助單晶定位技術，將TFT的通道位置以避開晶種的方式製作於粒徑為10μm的單晶矽晶粒中。另外我們也以半吸光層輔助結晶的技術，成功的在非晶矽膜以及多…
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近年來，複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛的被應用在不同的產品上，例如：靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等，原因在於複晶…
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微晶矽薄膜電晶體近來已被廣泛的研究，其擁有可大面積低溫成長的優點，且元件特性又優於非晶矽薄膜電晶體，例如，較高的電子移動率及較低的能帶間隙，普遍被認為將來可以取代非晶矽薄膜電晶體在大尺寸液晶顯示器上…
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於本論文中，我們探討不同交流訊號參數之非晶矽薄膜電晶體 (amorphous silicon thin film transistors) 在閘極 (gate) 交流與汲極 (drain) 交流電壓…
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由於金屬氧化物薄膜電晶體的製程特質及材料特性，使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇，包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、可在低溫下製作而應用於可撓式的裝置以及低成本製作等特殊需求的產…
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複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛被應用在不同的產品上，例如：靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等，原因在於複晶矽薄膜電晶…