檢索結果：共20筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="良率"
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快閃記憶體因其低功率消耗、高儲存密度以及存取速度快等優點被廣泛應用於固態硬碟、手機等消費性電子產品中。快閃記憶體是由浮閘電晶體所組成的非揮發性記憶體，快閃記憶體藉由改變浮閘電晶體中的電子數量來儲存資…
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快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體，使其成為消費性電子產品中常見的儲存元件，像是固態硬碟、手機和筆記型電腦等產品。快閃記憶體的儲存方式是將電子儲存至浮閘中，隨著製程的進步…
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動態隨機存取記憶體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 由於其高密度、使用壽命長與低成本等優點經常被廣泛使用於現代電子產品上，而隨著製程的進步，記憶體的良率(Y…
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近年來，超大型積體電路 (VLSI) 技術的快速發展使得電晶體的數量與記憶體細胞密度顯著增加，這個結果已經嚴重威脅到記憶體陣列的良率與可靠度，使得良率明顯下降。因此故障分散 (Fault Scram…
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錯誤修正碼與內建自我修復 (BISR) 技術被廣泛的用來改善記憶體良率與可靠度。而這兩個技術主要處理的錯誤與瑕疵分別為永久瑕疵 (硬錯誤) 與軟錯誤。在過去有許多研究探討如何使用錯誤修正碼與 BIS…
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傳統記憶體如DRAM與快閃記憶體，皆以儲存電荷的方式儲存資料，但此種方式在微縮製程上遇到了瓶頸，例如電荷量的限制。因此近年來，多種電阻式記憶體被提出，其中相變化記憶體最受關注，其原理是利用材料在不同…
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近年來，錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…
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根據製程廠所得到的點陣圖結果,出現在嵌入式記憶體裡的錯誤大約有60%—70%的錯誤是屬於正交錯誤. 如我們所知,每一個正交錯誤都需要一條備用列或欄來做修復.若發生大量的正交錯誤,我們需使用大量的備用…
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近年來由於製程技術的進步，行動裝置與物聯網得以迅速發展，對於非揮發性記憶體的需求也隨之上升，現今電阻式記憶體相較快閃式記憶體，擁有更低的功耗、更快的存取操作與更小的晶片面積，且其特殊的物理結構…
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針對記憶體中的故障細胞，除了只使用備用行或備用列來取代之外，錯誤更正碼也被認為是一種有效率的修復技術。錯誤更正碼若被用來處理永久性的故障 (Permanent Faults)，記憶體在製程上的良率與…