檢索結果：共19筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="微影製程"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
由於極紫外光微影系統技術開發上仍有困難，無法立即取代現有生產線上ArF-193nm浸潤式微影系統微影製程生產，因此吸引許多研究者尋找改善方案，其中可利用光源光罩最佳化程序搜尋最佳的光罩圖案設計與對應…
2
本研究為設計一共聚高分子材料以偵測人血中的鼠疫桿菌(Yersinia pestis)，在檢測的同時屏除白細胞的干擾。基材為線／間距比率為1：1.5的圖案化光阻矽晶圓表面聚合高分子，使之呈現線寬為1、…
3
本實驗分為兩個部分，第一部份利用原子轉移自由基聚合(Atom Transfer Radical Polymerization, ATRP)於圖案化矽晶圓製備表面起始聚甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯(…
4
本實驗使用原子轉移自由基聚合法（Atom transfer radical polymerization, ATRP）於圖案化矽晶圓表面進行表面起始聚合（Surface-initiated poly…
5
6
在記憶體DRAM製造的過程中，透過微影製程技術將設計之光罩轉印至光阻為一項至關重要的技術，但隨著線寬持續微縮，193nm浸潤式微影製程上達到物理極限，必須透過解析度增強技術(Resolution E…
7
中 文 摘 要 近年來由於晶圓代工產品的多樣性及難以避免的待機時間之影響，所衍生之曝光條件的變動頻繁，因而導致半導體晶圓代工廠之微影製程技術，面臨透鏡加熱效應顯著的困擾，造成0.5μm多晶矽閘層的…
8
本實驗利用原子轉移自由基聚合(Atom Transfer Radical Polymerization, ATRP)於圖案化矽晶圓製備表面起始聚甲基丙烯酸 2-(二乙氨基)乙酯(Poly(2-(Di…
9
隨著現代積體電路的複雜度不斷增加與製程節點的演進，電路可製造性在現代微影(Lithography)製程中正遭遇許多困難。次級解析輔助特徵圖案(SRAF) 擺置與光學鄰近修正(OPC)等重要的解析度增…
10
本研究利用半導體黃光微影技術，以石英為基材，製作壓電式IDA微金電極，IDA微金電極之線寬與長度分別為7.894 μm與2245.3 μm。本論文研究分成三部分：(1) 以二氧化矽保護層與四氟化碳 …