檢索結果：共21筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="化學機械平坦化"
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化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)目前已被廣泛應用於IC產業中，隨著近年來半導體線寬不斷縮減，CMP製程之穩定性與重現性不斷面臨挑戰。而在…
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中，鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力，以確保製程中的…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形，由聚氨…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下，穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液和晶圓移除的殘屑可能會積 聚在拋光墊表面，通過修整製程去除這些殘屑。故此拋光墊修整對於 CMP 性能至關重要且影響 IC 製造良率。本研究主要針對比較行星式修 整和…
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半導體製程中昂貴複雜及無可取代之製程-化學機械拋光/平坦化(Chemical Mechanical Plolishing/Planarization, CMP)，因具可有效地解決銅導線化及特徵尺寸進…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…