檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="龐敏熙"
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SiC MOSFET以其優越的性能和較低的損耗在大功率能量轉換領域獲得了廣泛關注和廣泛應用。在實際應用中,它們通常需要並聯連接,但不平衡的寄生參數會阻礙開關同步動作。因此,佈局中低且平衡的寄生電…
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SiC MOSFET於導通及截止間切換時引起振盪的原因之一,在於閘極所存在的寄生元件,為了減去閘極路徑的寄生元件所造成的影響,提出一個可編程並具有回授功能的閘極驅動器。藉由驅動器的回授端點與SiC …