檢索結果：共23筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="王秋燕"
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本研究主要分別以3:7的鋅-銻系統與2:3的銻-硫系統探討。第一部份，使用陽極氧化鋁模板的液壓鑄造處理製造異質結構的銻與銻化鋅(ZnSb)高序化奈米線陣列，而將塊材組份配在共晶組份，藉由壓鑄可將材料…
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利用熱蒸鍍法經由VLS成長機制在爐管內成長硒化鋅奈米線，以硒化鋅粉末作為前驅物置於管內，2、5及10奈米金薄膜的(100)矽基板做為成長基板，利用金顆粒作為成核催化點，使奈米線經由VLS成長機制生長…
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二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛，而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究，本實驗的二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(therm…
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在此篇研究中，利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線，而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本研究主要為銅-鍺合金的奈米線材料的製程、材料微結構分析和電性量測表現。分為兩大主題，Cu3Ge和Cu3Ge/Ge材料系統。第一部分為金屬線的Cu3Ge，在Cu3Ge的系統中在熔點以下和熔點…
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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此論文中，研究主要被分為三大部分：首先，探討GaS及Ga2S3 奈米片引入SnI2和I2之成長情形和GaS應用於光感測器之性質分析；第二部分，GaS奈米帶之光電性質分析及Ni退火後對元件產生之結構及…
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本論文材料有三種，分別是Ge-Sn異質結構奈米線， Ge-Sb異質結構奈米線和GeSe2奈米材料，進行生長及元件的製程並探討對應電性表現。 第一部分為Ge-Sn異質結構奈米線，使用AAO並以壓力鑄造…