檢索結果:共6筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="周賢鎧" and ckeyword.raw="電阻式記憶體"
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極,以取代昂貴之白金(Pt)作為電極,並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy,製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜,Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%,經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
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本研究以二硫化釕(Ruthenium disulfide, RuS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體,製作Ti/RuS2/Ru和Ni/RuS2/Ru元件並比較其電性、切換機構與傳導機制等方面之差異。…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層,以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層,上電極皆以Al濺鍍,製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體,製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極,氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層,利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上,並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…