檢索結果：共16筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="葉文昌" and cdept.raw="電子工程系"
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響，模擬結果顯示，n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…
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為了獲得高性能高均一性的薄膜電晶體，我們藉由透鏡陣列輔助單晶定位技術，將TFT的通道位置以避開晶種的方式製作於粒徑為10μm的單晶矽晶粒中。另外我們也以半吸光層輔助結晶的技術，成功的在非晶矽膜以及多…
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為了達成塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功開發出利用半吸光層經過準分子雷射回火後，可以實現低溫閘極絕緣膜的改質效果。而此絕緣膜是由100℃具吸收係數的SiONx與SiO2組成。 我們利用吸收係數40…
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性，並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現，雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm，並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本研究開發氧化矽閘極絕緣膜及多晶矽膜之低溫濺鍍沉積技術，以利塑膠基板上薄膜電晶體之製作。此外，我們利用準分子雷射退火技術實現鍺膜之超級橫向成長，並觀察此長晶現象。本研究在室溫下藉由脈衝直流磁控反應性…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶，成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長，以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術，經由準分子雷射退火後，可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…
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本論文以原創且簡易的方式實現矽膜晶粒定位技術，其中分別有針狀型矽島陣列輔助晶粒定位和微透鏡陣列輔助晶粒定位兩種技術。前者，藉由SiON半透光膜輔助，成功的抑制住矽島橫向長晶，只需持續提高吸收係數，矽…