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研究生： 黃國鈞
Guo-Jun Huang
論文名稱： 鍍率對金屬錯合物應用於有機發光二極體電荷傳輸及電激特性之研究
Charge Transport and Electroluminescent Properties of Metal Chelate : Dependence on Deposition Rate
指導教授： 李志堅
Chih-Chien Lee
口試委員: 王俊凱
Juen-Kai Wang
蔡枝松
none
范慶麟
Ching-Lin Fan
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 電資學院 - 電子工程系
Department of Electronic and Computer Engineering
論文出版年： 2007
畢業學年度： 95
語文別： 中文
論文頁數： 85
中文關鍵詞： 鍍率 、飛行時間法 、載子遷移率
外文關鍵詞： bebq2, TOF
相關次數： 點閱：248  下載：2 
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    • 本論文主要研究有機電激發光金屬錯合物小分子材料 Bis(10-hydroxybenzo[h]qinolinato) beryllium (Bebq2)在不同蒸鍍速率(deposition rate)下成長有機薄膜的電荷傳輸特性。並將之應用於有機發光二極體元件上，探討元件的光電特性。
    　　利用飛行時間法系統（Time-of-Flight System）量測Ｂebq2薄膜在不同鍍率下電子與電洞的載子遷移率(mobility, μ)，發現在固定電場下隨著鍍率的增加，載子遷移率越慢。並量測在不同鍍率下的螢光強度及螢光量子效率等基本參數。在TOF技術探討下的三種不同鍍率中，將Bebq2做為有機發光二極體元件中的電子傳輸層(ETL)及發光層(EML)，探討元件的光電表現特性及操作壽命(lifetime)與基本參數的

    In this thesis, we report a study of charge carrier transport property of organic electroluminescent material Bis(10-hydroxybenzo[h]qinolinato) beryllium (Bebq2) with different deposition rate. Bebq2 layer with different rate applied to organic light emitting devices will be discussed.
    Using the time-of-flight (TOF) technique, the drift mobilities of hole and electron of Bebq2 thin films have been measured with different deposition rate. It is found that the hole and electron mobilities show a decreasing trend with the different deposition rate. Some fundamental parameters can be measured with different deposition rate for example, the photoluminescence quantum yield and photoluminescence intensity, etc. The correlation between the fundamental parameters of Bebq2 films and the performance including B-I-V curve and lifetime of corresponding OLED with various rate are also presented.

    中文摘要Ⅰ 英文摘要Ⅱ 誌謝Ⅲ 圖目錄Ⅵ 表格目錄Ⅸ 第一章 緒論1 1-1 前言1 1-2 有機發光二極體之發展歷史2 1-3 有機發光二極體原理3 1-4 文獻回顧7 1-5 研究動機13 1-6 論文架構14 第二章 實驗儀器與原理15 2-1 熱蒸鍍系統15 2-2 飛行時間法系統17 2-3 積分球21 2-4 B-I-V 及元件壽命(Lifetime)量測系統23 2-5 光電子光譜儀(AC-2)27 第三章 實驗量測與結果29 3-1黃光製程與基板清潔29 3-1-1 黃光微影製程29 3-1-2 清潔形狀化後的基板31 3-1-3 矽基板清潔過程32 3-2有機材料的特性33 3-2-1 實驗材料33 3-2-2 有機材料能階分析34 3-3 元件封裝測試39 3-4 載子遷移率量測41 3-4-1 NPB載子遷移率41 3-4-2 Bebq2載子遷移率44 3-5 螢光光譜與螢光量子效率55 3-6 表面粗糙度56 3-7 元件B-I-V 特性曲線59 3-8 元件壽命測試61 第四章 結論69 參考文獻70 附錄73

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