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本研究論文主利用化學氣相傳導法以三氯化碘當傳導劑來成長Cu(In1-xAlx)S2、CuAl(S1-xSex)2、Ag(In1-xAlx)S2系列以及AgIn5S8半導體晶體，針對此系列晶體藉由光學…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硒化銦系列晶體，目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport method, CVT) 成長硫化鎵晶體，目前成功成長出Ga2S3晶體，之後進行晶體結構與光學特性分析。藉由能量散佈儀 …
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本論文主要對於金屬氧化物半導體薄膜奈米結構中alpha相單斜結構三氧化二鉍(alpha-Bi2O3)、立方結構三氧化二銦(c-In2O3)以及岩鹽結構(rock-salt)氧化鎳(NiO)加以研究以…
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本論文以化學氣相傳導法成功成長II-VI族和III-VI族硫屬化合物半導體，分別為相三硒化二銦、三硫化二鎵和硫化鋅氧系列晶體，然後對晶體進行結構分析，且由本實驗室光電量測對其特性加以量測探討。藉由…
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本論文主要研究的晶體材料可分為兩類，其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構，使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長，藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置，n越大則吸收與放光波長越往…
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本論文主要研究具有良好的發光特性材料，III-VI 族硒硫化鎵系列半導體GaSe1-xSx (0≤x≤1)，通過適當的硒硫成分變化來控制其光學特性，並分析放射螢光光譜以及區域掃描時間解析行為。在於這…