檢索結果：共23筆資料 檢索策略： "electrical property".ekeyword (精準)
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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The nitride-based material had excellent properties such as high thermal conductivity, high electro…
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本論文探討以化學氣相傳輸法(CVT)成長的高品質六方晶系(2H)二硫化鎢(WS2) 層狀半導體之電傳輸及表面電子結構特性。經由機械剝離法將WS2晶體製作成具有原始表面(non-fresh surfa…
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Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) semiconductor compound showing record photovoltaic conversion efficiencies nea…
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本研究主要在探討不同鍶鈦比(Sr/Ti ratio)對鈦酸鍶(SrTiO3)其微結構與電性上的差異，分別利用一階段燒結與二階段燒結的方式改變不同熱處裡條件並分析微結構改變晶界形貌的差異，進而解釋晶界…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材，採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜，並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成，利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中，探討靶材中不同Ag含量比例，不同硫化物與…
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本論文研究的一維奈米材料包括Cu3Ge奈米線以及Cu3Ge-Ge異質結構奈米線。第一部分為製程，塊材的前置作業為分別取Copper和Germanium之粉末以特定之原子百分比組分封入石英管內，並以氫…
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本研究使用電沉積技術成功製備出具高電催化特性的雙功能NiFe-LDH/Ni(OH)2雙層薄膜，並在實驗中，探討不同的層狀雙氫氧化物的電催化性能，以及不同的電沉積參數對薄膜的電化學特性與表面特徵之影響…